VTC-1HD-ZF2高真空磁控濺射蒸發鍍膜儀

產品型號

VTC-1HD-ZF2

主要參數

1、真空室：φ324X330

極限真空6.0X10-4Pa（采用國產FF-150升渦輪分子泵+機械泵）

漏率：2.0x10-10Pa.m3/s

材料為304不銹鋼焊接，電化學表面拋光處理。

活動處密封采用橡膠密封圈，不活動處密封采用銅密封圈密封。

動力傳動采用磁耦合聯動方式。

真空室一個磁控靶位、一組蒸發電極（兩只）、2只束源爐工位（標配1只束源爐）。

1組流量計（氬氣一組）帶φ150玻璃觀察窗，另預留C35法蘭接口。

2、濺射靶頭：2吋（φ50.8mm）

工作真空度：10Pa~0.2Pa

靶材利用率：＞35%(標準3mm銅靶材，靶面真空度0.5Pa)

MAX功率：＜240W（充分冷卻）

絕緣電壓：＞2000V（配套500W直流電源1個）

3、電阻蒸發：

蒸發輸出電壓：AC 0-8V連續可調

極限蒸發電流200A

極限蒸發功率＜1.6KW

溫度不可控，不可測。

4、束源爐：坩堝容量：3CC

加熱溫度：室溫-700°C

加熱溫度可測、可調、可控。

控溫精度：±0.5°C

標配石英坩堝，帶擋板、熱電偶。

電源功率：500W、36V

5、樣品臺：φ120

溫控：室溫-500°C

轉數：1-20rpm

樣品臺可手動升降，可調行程上限：50mm

6、EQ-TM106-1膜厚儀

1)電源：DC  5V（±10%），MAX電流400mA

2)頻率分辨率：±0.03Hz

3)膜厚分辨率：0.0136?（鋁）

4)膜厚準確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置，材料應力，溫度和密度。

5)測量速度：100ms-1s/次，可設置

6)測量范圍：500000?（鋁）

7)標準傳感器晶體：6MHz

8)計算機接口：RS-232/485串行接口（波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設置，數據位：8，停止位：1，校驗：無）

9)模擬輸出：8比特分辨率，PWM脈寬調制輸出（集電極開路或內部5V輸出）

10)工作環境：溫度0-50℃，濕度5%-85%RH，不得有冷凝水珠

11)外形尺寸：90mm×50mm×18mm

7、設備標配冷水機組1臺（KJ5000型），客戶自備冷水機及去離子水或純凈水。

8、整機電源輸入：AC220V/50Hz。功率＜3.5KW。

9、產品規格：

尺寸：約1300mm×660mm×1200mm；         重量：約160 kg