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簡要描述：VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。配備有兩個(gè)靶槍，一個(gè)弱磁靶用于非導(dǎo)電材料的濺射鍍膜，一個(gè)強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，且可使用的材料范圍廣
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-07-16訪 問 量：2837產(chǎn)品分類CLASSIFICATION
詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 地礦 |
VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀是我公司自主新研制開發(fā)的一款高真空鍍膜設(shè)備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀配備有兩個(gè)靶槍和兩個(gè)電源，一個(gè)射頻電源用于非導(dǎo)電材料的濺射鍍膜，一個(gè)直流電源用于導(dǎo)電材料的濺射鍍膜，可選配強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，且可使用的材料范圍廣，是一款實(shí)驗(yàn)室制備各類材料薄膜的理想設(shè)備。
配置兩個(gè)靶槍，一個(gè)配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜，一個(gè)配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。
可制備多種薄膜，應(yīng)用廣泛。
體積小，操作簡便。
產(chǎn)品名稱 | VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀 | |||
產(chǎn)品型號 | VTC-600-2HD | |||
安裝條件 | 1、工作臺需要：尺寸 L1300mm×W750mm×H700mm，承重 200kg 以上。 2、水：需求：隨機(jī)標(biāo)配 KJ-5000 自循環(huán)冷水機(jī)（加注純凈水或者去離子水）。 3、氣：需氬氣（純度≥99.99%），自備氬氣瓶（自帶?6mm 雙卡套接頭）及減壓閥。 4、通風(fēng)裝置：使用現(xiàn)場需通風(fēng)（必要時(shí)可自行加裝換氣裝置）。 5、供電源：單相：AC220V 50Hz 國標(biāo) 10A 插座，必須有良好接地，前端需加裝 16A 空氣開關(guān)。 6、現(xiàn)場環(huán)境：要求：溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh 以下，干燥無塵，無易燃易爆氣體。 | |||
主要參數(shù) | 真 空 系 統(tǒng) | 真空室尺寸 | φ295×高265mm | 備注說明 |
真空泵組 | 分子泵：Hipace80 渦輪泵 前級泵：MVP015-2DC 隔膜泵 | 浦發(fā)（Pfeiffer） | ||
本底真空度 | 5.0E-3Pa(5.0E-5hPa) | 沉積前基礎(chǔ)真空要求 | ||
極限真空度 | 5.0E-4Pa(5.0E-6hPa) | 受現(xiàn)場環(huán)境等因素影響 | ||
工作壓力 | 0.1~5Pa(0.001~0.05hPa) | 氬氣為主，反應(yīng)氣體比例添加 | ||
抽速 | 前級泵：1m3/h 分子泵：67l/s | 影響抽真空時(shí)間 | ||
電 源 配 置 | 濺射電源 類型/數(shù)量 | DC（直流）：1臺 RF（射頻）：1臺 | DC：金屬靶 RF：絕緣靶 （搭配電源類型可選配） | |
輸出功率 范圍 | DC：0~500W RF：0~300W | 功率輸出模式 MAX輸出功率 | ||
匹配阻抗 | 50Ω | 確保功率傳輸效率 | ||
氣 體 控 制 | 工作氣體 | 標(biāo)配：氬氣（Ar） | 建議使用：Ar 純度 99.999% | |
氬氣流量 (2路輸入） | 1路：1~100sccm 1路：1~200sccm | 注：如需要通入其它類型保 護(hù)氣體可定制 | ||
流量計(jì)精度 | ±1%F.S. | / | ||
旋 轉(zhuǎn) 樣 品 臺 | 樣品臺尺寸 | Φ132mm | ≈5.2英寸 | |
樣品臺轉(zhuǎn)速 | 1~20rpm | 提升膜厚均勻性 | ||
加熱溫度 | RT~500℃ | 樣品臺表面溫度值 | ||
控溫精度 | ±1℃ | / | ||
磁 控 濺 射 靶 | 磁控靶數(shù)量 | 2個(gè) | 可獨(dú)立、可同時(shí)使用 | |
靶材尺寸 | φ2寸 厚度0.1-5mm | 靶材材質(zhì)不同厚度有所不同 | ||
靶基距 | 85~115mm可調(diào) | 當(dāng)距離↑增大、→厚膜均勻 性↑增高，沉積速率↓下降。 | ||
冷卻方式 | 水冷 | 冷卻水循環(huán)靶頭降溫 | ||
沉 積 性 能 與 其 它 參 數(shù) | 厚膜均勻性 | ±5%（φ100mm基片） | 靶基距和轉(zhuǎn)速優(yōu)化關(guān)鍵 | |
極限膜厚 | 10nm~10um | 過厚易應(yīng)力開裂 | ||
輸入功率 | MAX:主機(jī) 500W/射頻電源 1100W/直流電源 750W | 注：主機(jī)、射頻電源、直流電 源及膜厚儀均為獨(dú)立供電！ | ||
輸入電源 | 單相：AC220V 50/60Hz | |||
主機(jī)尺寸 | 600mm×750mm×900mm | 注：開蓋高度為1050mm | ||
整機(jī)尺寸 | 1300m×750mm×900mm | 注：開蓋高度為1050mm | ||
整機(jī)重量 | 160kg | 注：不含水冷機(jī)組 | ||
| 序號 | 名稱 | 數(shù)量 | 圖片鏈接 |
| 1 | 直流電源控制系統(tǒng) | 1套 | - |
| 2 | 射頻電源控制系統(tǒng) | 1套 | - |
| 3 | 膜厚監(jiān)測儀系統(tǒng) | 1套 | - |
| 4 | 分子泵（德國進(jìn)口或者國產(chǎn)更大抽速） | 1臺 | - |
| 5 | 冷水機(jī) | 1臺 | - |
| 6 | 聚酯PU管（?6mm） | 4m | - |
| 序號 | 名稱 | 功能類別 | 圖片鏈接 |
| 1 | 金、銦、銀、鉑等各種靶材 | （可選） |  - |
| 2 | 可選配強(qiáng)磁靶用于鐵磁性材料的濺射鍍膜 | （可選） | - |
| 3 | 雙層旋轉(zhuǎn)鍍膜夾具 | （可選） |  |
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